买卖IC网 >> 产品目录43528 >> STB21N90K5 MOSFET N-CH 900V 18.5A D2PAK datasheet 分离式半导体产品
型号:

STB21N90K5

库存数量:928
制造商:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 900V 18.5A D2PAK
RoHS:无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
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标准包装 1
系列 SuperMESH5™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 900V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 18.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 299 毫欧 @ 9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 5V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 43nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1645pF @ 100V
功率 - 最大 250W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装 D2PAK
包装 标准包装
其它名称 497-12851-6
相关资料
供应商
公司名
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集好芯城 0755-83289799 陈先生 13360533550
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深圳市华芯源电子有限公司 15019275130 张小姐
北京天阳诚业科贸有限公司 17862669251 洪先生
深圳市中平科技有限公司 0755-83946385 赖先生
深圳国芯威科技有限公司 0755-29676185 国芯威-美滋滋
深圳市百域芯科技有限公司 18898761413 许先生
深圳市硅宇电子有限公司 13424293654 唐先生
  • STB21N90K5 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 8.604 8.604
    10 7.7088 77.088
    25 6.93216 173.304
    100 6.30468 630.468
    250 5.707104 1426.776
    500 5.10948 2554.74